A Multifunctional Interlayer for Solution Processed High Performance Indium Oxide Transistors
Resumen: Multiple functionality of tungsten polyoxometalate (POM) has been achieved applying it as interfacial layer for solution processed high performance In2O3 thin film transistors, which results in overall improvement of device performance. This approach not only reduces off-current of the device by more than two orders of magnitude, but also leads to a threshold voltage reduction, as well as significantly enhances the mobility through facilitated charge injection from the electrode to the active layer. Such a mechanism has been elucidated through morphological and spectroscopic studies.
Idioma: Inglés
DOI: 10.1038/s41598-018-29220-0
Año: 2018
Publicado en: SCIENTIFIC REPORTS 8, 1 (2018), 10946
ISSN: 2045-2322

Factor impacto JCR: 4.011 (2018)
Categ. JCR: MULTIDISCIPLINARY SCIENCES rank: 14 / 69 = 0.203 (2018) - Q1 - T1
Factor impacto SCIMAGO: 1.414 - Multidisciplinary (Q1)

Tipo y forma: Artículo (Versión definitiva)
Área (Departamento): Área Química Física (Dpto. Química Física)

Creative Commons Debe reconocer adecuadamente la autoría, proporcionar un enlace a la licencia e indicar si se han realizado cambios. Puede hacerlo de cualquier manera razonable, pero no de una manera que sugiera que tiene el apoyo del licenciador o lo recibe por el uso que hace. No puede utilizar el material para una finalidad comercial. Si remezcla, transforma o crea a partir del material, no puede difundir el material modificado.


Exportado de SIDERAL (2020-01-17-22:00:44)


Visitas y descargas

Este artículo se encuentra en las siguientes colecciones:
Artículos



 Registro creado el 2018-09-24, última modificación el 2020-01-17


Versión publicada:
 PDF
Valore este documento:

Rate this document:
1
2
3
 
(Sin ninguna reseña)