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TAZ-TFM-2012-875

Diseño asimétrico de inversores de un dispositivo de carburo de silicio para inducción doméstica

Avellaned Casbas, Javier
Bernal Ruiz, Carlos (dir.) ; Molina Gaudó, Pilar (dir.)

Universidad de Zaragoza, Escuela de Ingeniería y Arquitectura, 2012
Departamento de Ingeniería Electrónica y Comunicaciones, Área de Tecnología Electrónica

Máster en Ingeniería Electrónica

Resumen: En el presente trabajo final de Máster se ha avanzado en las posibilidades que brinda la nueva tecnología de transistores de SiC (tecnología novedosa de reciente incorporación en el mercado) para la aplicación de inducción doméstica. Este trabajo completa el esfuerzo de dos años en el grupo de Electrónica de Potencia para el avance en el conocimiento de esta tecnología, al respecto se ha realizado una docena de publicaciones acerca de la aplicación de transistores de SiC a la inducción. Gracias a la ventaja ofrecida por esta nueva tecnología, entre otros factores, de ser capaz de conmutar a frecuencias más elevadas que los IGBTs de silicio [13] hemos sido capaces de hacer trabajar simultáneamente a varios inversores resonantes 1SW sin IMD. Los resultados experimentales obtenidos son prometedores y han sido mostrados en el presente trabajo final de Máster. En una primera parte de este trabajo se realiza un estudio sobre los mecanismos de translación de energía entre las frecuencias de operación de varios inversores y el rango de espectro audible. Además se formaliza analíticamente las frecuencias libres de IMD para un conjunto de tres o más inversores, determinando las zonas de frecuencia posibles que no generan IMD en el rango audible. Las pruebas experimentales realizadas verifican la validez de este resultado analítico. Uno de los mayores logros del proyecto ha sido proponer y verificar mejoras que, partiendo del conocimiento generado, permitan aumentar la flexibilidad de la topología 1SW-ZVS en su combinación en un campo de inductores sin generar ruido acústico. Se propone en este trabajo para ello una configuración asimétrica en forma celular que hemos denominado tri-cell. En la última parte del trabajo se muestran resultados experimentales de los ensayos realizados. También se muestran resultados numéricos y gráficos de la ACZ obtenida con cada configuración. Se han comparado los resultados y redactado las conclusiones más relevantes.


Palabra(s) clave (del autor): inducción ; electrónica de potencia ; intermodulación ; carburo de silicio
Tipo de Trabajo Académico: Trabajo Fin de Master

El autor NO autoriza la consulta a texto completo


 

 Registro creado el 2012-09-13, última modificación el 2012-11-07


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