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2012-11-07

spa Avellaned Casbas, Javier Bernal Ruiz, Carlos Molina Gaudó, Pilar http://zaguan.unizar.es/record/9173 En el presente trabajo final de Máster se ha avanzado en las posibilidades que brinda la nueva tecnología de transistores de SiC (tecnología novedosa de reciente incorporación en el mercado) para la aplicación de inducción doméstica. Este trabajo completa el esfuerzo de dos años en el grupo de Electrónica de Potencia para el avance en el conocimiento de esta tecnología, al respecto se ha realizado una docena de publicaciones acerca de la aplicación de transistores de SiC a la inducción. Gracias a la ventaja ofrecida por esta nueva tecnología, entre otros factores, de ser capaz de conmutar a frecuencias más elevadas que los IGBTs de silicio [13] hemos sido capaces de hacer trabajar simultáneamente a varios inversores resonantes 1SW sin IMD. Los resultados experimentales obtenidos son prometedores y han sido mostrados en el presente trabajo final de Máster. En una primera parte de este trabajo se realiza un estudio sobre los mecanismos de translación de energía entre las frecuencias de operación de varios inversores y el rango de espectro audible. Además se formaliza analíticamente las frecuencias libres de IMD para un conjunto de tres o más inversores, determinando las zonas de frecuencia posibles que no generan IMD en el rango audible. Las pruebas experimentales realizadas verifican la validez de este resultado analítico. Uno de los mayores logros del proyecto ha sido proponer y verificar mejoras que, partiendo del conocimiento generado, permitan aumentar la flexibilidad de la topología 1SW-ZVS en su combinación en un campo de inductores sin generar ruido acústico. Se propone en este trabajo para ello una configuración asimétrica en forma celular que hemos denominado tri-cell. En la última parte del trabajo se muestran resultados experimentales de los ensayos realizados. También se muestran resultados numéricos y gráficos de la ACZ obtenida con cada configuración. Se han comparado los resultados y redactado las conclusiones más relevantes. info:eu-repo/semantics/closedAccess Fulltext access not authorized info:eu-repo/semantics/bachelorThesis info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf 2012-09-13 02408nmm 2200000 a 4500 9173 TAZ-TFM-2012-875 spa Avellaned Casbas, Javier Diseño asimétrico de inversores de un dispositivo de carburo de silicio para inducción doméstica Zaragoza Universidad de Zaragoza 2012 denied En el presente trabajo final de Máster se ha avanzado en las posibilidades que brinda la nueva tecnología de transistores de SiC (tecnología novedosa de reciente incorporación en el mercado) para la aplicación de inducción doméstica. Este trabajo completa el esfuerzo de dos años en el grupo de Electrónica de Potencia para el avance en el conocimiento de esta tecnología, al respecto se ha realizado una docena de publicaciones acerca de la aplicación de transistores de SiC a la inducción. Gracias a la ventaja ofrecida por esta nueva tecnología, entre otros factores, de ser capaz de conmutar a frecuencias más elevadas que los IGBTs de silicio [13] hemos sido capaces de hacer trabajar simultáneamente a varios inversores resonantes 1SW sin IMD. Los resultados experimentales obtenidos son prometedores y han sido mostrados en el presente trabajo final de Máster. En una primera parte de este trabajo se realiza un estudio sobre los mecanismos de translación de energía entre las frecuencias de operación de varios inversores y el rango de espectro audible. Además se formaliza analíticamente las frecuencias libres de IMD para un conjunto de tres o más inversores, determinando las zonas de frecuencia posibles que no generan IMD en el rango audible. Las pruebas experimentales realizadas verifican la validez de este resultado analítico. Uno de los mayores logros del proyecto ha sido proponer y verificar mejoras que, partiendo del conocimiento generado, permitan aumentar la flexibilidad de la topología 1SW-ZVS en su combinación en un campo de inductores sin generar ruido acústico. Se propone en este trabajo para ello una configuración asimétrica en forma celular que hemos denominado tri-cell. En la última parte del trabajo se muestran resultados experimentales de los ensayos realizados. También se muestran resultados numéricos y gráficos de la ACZ obtenida con cada configuración. Se han comparado los resultados y redactado las conclusiones más relevantes. Máster en Ingeniería Electrónica El autor no autoriza la difusión del texto completo de su obra inducción electrónica de potencia intermodulación carburo de silicio Bernal Ruiz, Carlos dir. Molina Gaudó, Pilar dir. Universidad de Zaragoza Ingeniería Electrónica y Comunicaciones Tecnología Electrónica 523854@celes.unizar.es 3305416 http://zaguan.unizar.es/TAZ/EINA/2012/9173/TAZ-TFM-2012-875.pdf Memoria (spa) 10942407 http://zaguan.unizar.es/TAZ/EINA/2012/9173/TAZ-TFM-2012-875_ANE.pdf Anexos (spa) TAZ TFM EINA URI http://zaguan.unizar.es/record/9173 SUPPORTED 0 MD5 http://zaguan.unizar.es/TAZ/EINA/2012/9173/TAZ-TFM-2012-875.md5 4096 image/x.djvu 6 http://djvu.sourceforge.net/abstract.html DJVU/6 Profile information Lizardtech Document Express Enterprise 5.1 2011-01-19T11:29:27 URI http://zaguan.unizar.es/TAZ/EINA/2012/9173/TAZ-TFM-2012-875.pdf disk Minimum View Print Visualization of DJVU requires specific software, like DjVu Browser Plugin URI http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0 URI http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0 license URI http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0 You are free to adapt, copy, transmite or distribute the work under the following conditions: (1) You must attribute the work in the manner specified by the author or licensor (but not in any way that suggests that they endorse you or your use of the work). 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