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000120252 005__ 20221215143729.0
000120252 037__ $$aTESIS-2022-257
000120252 041__ $$aspa
000120252 1001_ $$aCastillo Saenz, Jhonathan Rafael
000120252 24500 $$aSíntesis y caracterización de películas delgadas de Al2O3, ZnO y NiOx para aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos
000120252 260__ $$aZaragoza$$bUniversidad de Zaragoza, Prensas de la Universidad$$c2022
000120252 300__ $$a192
000120252 4900_ $$aTesis de la Universidad de Zaragoza$$v2022-193$$x2254-7606
000120252 500__ $$aPresentado: 28 10 2022
000120252 502__ $$aTesis-Univ. Zaragoza, , 2022$$bZaragoza, Universidad de Zaragoza$$c2022
000120252 506__ $$aby-nc$$bCreative Commons$$c3.0$$uhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es
000120252 520__ $$aEl objetivo y principal aportación de este proyecto de investigación, fue el desarrollo de<br />algunos procesos de síntesis, deposición y caracterización de películas delgadas de Al2O3,<br />ZnO y NiOx, y su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.<br />Se logró obtener con éxito, películas delgadas de Al2O3 y ZnO a baja temperatura mediante<br />la técnica de deposición por capas atómicas mejorada con plasma (PE-ALD), estas películas<br />presentaron excelentes propiedades ópticas, morfológicas, estructurales, composicionales y<br />eléctricas, que permitieron su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos. Las<br />películas de Al2O3 y ZnO se utilizaron como dieléctrico y semiconductor tipo-n<br />respectivamente, en la fabricación de transistores de película delgada transparente,<br />capacitores y resistores, estos dispositivos presentaron propiedades muy prometedoras para<br />aplicaciones en electrónica flexible.<br />Se logró obtener y caracterizar con éxito películas delgadas de NiOx a partir de la oxidación<br />térmica a 400 °C, 500 °C y 600 °C de películas delgadas de Ni depositadas por la técnica de<br />evaporación con haz de electrones (e-beam). Se fabricaron fotodiodos basados en una<br />heteroestructura NiOx/Si. Los diodos con capa de NiOx obtenidos a 500 °C mostraron el<br />mejor rendimiento en términos de corriente inversa y fotorespuesta. A 0 V estos diodos tienen<br />responsividades entre 0.85 y 0.41 A/W para longitudes de onda en el rango de 365 – 635 nm,<br />mientras que bajo un sesgo inverso de -1.5 V la responsividad aumenta a valores entre 59 y<br />32 A/W. Estas responsividades son mucho más altas que las reportadas previamente para<br />fotodiodos basados en heteroestructura NiO/Si y se encuentran entre los valores más altos<br />publicados para detectores de banda ancha.<br />Por último, se desarrollaron dos procesos de síntesis y deposición de películas delgadas y<br />nanopartículas de NiOx mediante el método Sol-Gel y la síntesis coloidal respectivamente,<br />ambos procesos resultaron ser sencillos, de bajo costo y permitieron obtener NiOx con<br />propiedades ópticas, estructurales, morfológicas, composicionales, muy prometedoras para<br />aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.<br />
000120252 520__ $$a<br />
000120252 521__ $$97103$$aPrograma de Doctorado en Ingeniería Química y del Medio Ambiente
000120252 6531_ $$alaminas delgadas
000120252 6531_ $$asemiconductores
000120252 6531_ $$adispositivos semiconductores
000120252 6531_ $$asuperficies
000120252 700__ $$aBernechea Navarro, Maria $$edir.
000120252 700__ $$aRadnev Nedev, Nicola $$edir.
000120252 7102_ $$aUniversidad de Zaragoza$$b
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000120252 8560_ $$fcdeurop@unizar.es
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