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            <surname>Laliena Bielsa</surname>
            <given-names>Víctor Manuel</given-names>
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            <surname>Campo Ruiz</surname>
            <given-names>Jesús Javier</given-names>
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        <year>2023</year>
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    <abstract>A baja temperatura, aplicando un campo magnético paralelo al eje quiral de un imán&lt;br /&gt;quiral monoaxial, además de un estado de equilibrio cónico de la imanación, también&lt;br /&gt;existirá un continuo de estados cónicos, que serán mínimos locales de la energía y que&lt;br /&gt;diferirán entre sí en su número de onda y en la componente de la imanación a lo largo&lt;br /&gt;del eje quiral. En este trabajo, se estudiará en detalle la metaestabilidad de estos estados,&lt;br /&gt;a los que se les llamará p − states. De este estudio, resulta que la aplicación de un&lt;br /&gt;campo magnético externo en la dirección del eje quiral tiene un doble efecto: por un lado,&lt;br /&gt;introduce una deformación cónica de los p−states, y por otro lado, desestabiliza algunos de&lt;br /&gt;ellos, acortando el rango de p en el que los p−states son metaestables. De igual manera,&lt;br /&gt;se verá que, si se aplica una corriente eléctrica a lo largo del eje quiral, los p − states&lt;br /&gt;alcanzan un estado de movimiento estacionario con una velocidad constante proporcional&lt;br /&gt;a la intensidad de la corriente. Además de este efecto dinámico, la corriente eléctrica&lt;br /&gt;también induce una deformación cónica y reduce el rango de estabilidad de los p−states.&lt;br /&gt;El estudio del diagrama de estabilidad en el plano campo aplicado - intensidad de corriente&lt;br /&gt;aplicada refleja ciertas características interesantes como que, entre otras cosas, existe la&lt;br /&gt;posibilidad de manipular los p − states mediante una combinación de campos aplicados&lt;br /&gt;y corrientes. Estas características se pueden explotar para diseñar procesos de cambio&lt;br /&gt;entre p − states. En particular, hay p − states con p negativa, lo que abre la posibilidad&lt;br /&gt;al cambio de helicidad, lo cual puede ser aplicado en dispositivos de almacenamiento de&lt;br /&gt;memoria.&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;</abstract>
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