Goos–Hänchen shift for coupled vibrational modes in a semiconductor structure
Resumen: We present a theoretical investigation of the Goös–Hanchen shift (GHS) experienced by acoustic and optical vibrational modes reflected and transmitted from the surfaces of a semiconductor thin film sandwiched between two semi-infinite media. Our study focuses on the impact of the incident angle on the GHS, considering the coupling between longitudinal and transverse modes. For acoustic vibrations, our findings reveal that the GHS can reach magnitudes up to seven times larger than the thickness of the thin film and up to 20 times larger than the incident wavelength. Besides, it is shown that this significant amplification of the GHS highlights the strong influence of the incident angle and the frequency of the modes involved. In the case of optical vibrations, we observe even more pronounced GHS values, exceeding 30 times the incident wavelength. This demonstrates the potential of GHS in acoustical systems, which opens up possibilities for applications in the design of acoustic devices.
Idioma: Inglés
DOI: 10.1088/1361-648X/ad3370
Año: 2024
Publicado en: Journal of Physics Condensed Matter 36, 32 (2024), 325301 [12 pp.]
ISSN: 0953-8984

Tipo y forma: Artículo (Versión definitiva)
Área (Departamento): Área Física Materia Condensada (Dpto. Física Materia Condensa.)

Creative Commons Debe reconocer adecuadamente la autoría, proporcionar un enlace a la licencia e indicar si se han realizado cambios. Puede hacerlo de cualquier manera razonable, pero no de una manera que sugiera que tiene el apoyo del licenciador o lo recibe por el uso que hace.


Exportado de SIDERAL (2024-06-14-08:59:00)


Visitas y descargas

Este artículo se encuentra en las siguientes colecciones:
Artículos



 Registro creado el 2024-06-14, última modificación el 2024-06-14


Versión publicada:
 PDF
Valore este documento:

Rate this document:
1
2
3
 
(Sin ninguna reseña)