Publisher's Note: Large memcapacitance and memristance at Nb:SrTiO3/La0.5Sr0.5Mn0.5Co0.5O3-delta topotactic redox interface (Appl. Phys. Lett. vol 116, 063502, 2020)

Acevedo, W.R.; Patrone, L.; Ferreyra, C.; Aguirre, M.H.; Acha, C.; Rubi, D.; Cavallaro, A.; van den Bosch, C.A.M.; Sanchez, M.J.; Aguadero, A.

doi:10.1063/5.0005777

Resumen: Corrección: Appl. Phys. Lett. 116, 063502 (2020)
Idioma: Inglés
DOI: 10.1063/5.0005777
Año: 2020
Publicado en: Applied Physics Letters 116, 9 (2020), 099902 [1 pp.]
ISSN: 0003-6951
Factor impacto JCR: 3.791 (2020)
Categ. JCR: PHYSICS, APPLIED rank: 47 / 160 = 0.294 (2020) - Q2 - T1
Factor impacto SCIMAGO: 1.181 - Physics and Astronomy (miscellaneous) (Q1)

Tipo y forma: (Versión definitiva)
Área (Departamento): Área Física Materia Condensada (Dpto. Física Materia Condensa.)

Debe reconocer adecuadamente la autoría, proporcionar un enlace a la licencia e indicar si se han realizado cambios. Puede hacerlo de cualquier manera razonable, pero no de una manera que sugiera que tiene el apoyo del licenciador o lo recibe por el uso que hace.

Exportado de SIDERAL (2021-09-02-09:06:50)

Enlace permanente:

Visitas y descargas

Este artículo se encuentra en las siguientes colecciones:
Artículos

Repositorio Institucional de Documentos

Publisher's Note: Large memcapacitance and memristance at Nb:SrTiO3/La0.5Sr0.5Mn0.5Co0.5O3-delta topotactic redox interface (Appl. Phys. Lett. vol 116, 063502, 2020)