High-Linearity Self-Biased CMOS Current Buffer
Resumen: A highly linear fully self-biased class AB current buffer designed in a standard 0.18 mu m CMOS process with 1.8 V power supply is presented in this paper. It is a simple structure that, with a static power consumption of 48 mu W, features an input resistance as low as 89 Omega, high accuracy in the input-output current ratio and total harmonic distortion (THD) figures lower than -60 dB at 30 mu A amplitude signal and 1 kHz frequency. Robustness was proved through Monte Carlo and corner simulations, and finally validated through experimental measurements, showing that the proposed configuration is a suitable choice for high performance low voltage low power applications.
Idioma: Inglés
DOI: 10.3390/electronics7120423
Año: 2018
Publicado en: ELECTRONICS 7, 12 (2018), 423 [18 pp]
ISSN: 2079-9292

Factor impacto JCR: 1.764 (2018)
Categ. JCR: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC rank: 154 / 265 = 0.581 (2018) - Q3 - T2
Factor impacto SCIMAGO: 0.461 - Computer Networks and Communications (Q1) - Control and Systems Engineering (Q1) - Signal Processing (Q1) - Hardware and Architecture (Q1) - Electrical and Electronic Engineering (Q1)

Financiación: info:eu-repo/grantAgreement/ES/MINECO-FEDER/TEC2015-65750-R
Tipo y forma: Artículo (Versión definitiva)
Área (Departamento): Área Electrónica (Dpto. Ingeniería Electrón.Com.)

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Exportado de SIDERAL (2020-01-17-21:57:48)


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 Registro creado el 2019-02-19, última modificación el 2020-01-17


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